这就打破了原来手机RAM内存产业的格局，以前提供手机用PSRAM和SDRAM内存的厂家主要是Cypress、NEC、东芝、三菱，这些厂家或者无法自行生产SDRAM或者生产SDRAM内存时缺乏竞争力。而一批原来生产SDRAM内存的厂家如Hynix、Elpida、英飞凌和美光进入该领域，原本这些厂家都是PC领域的厂家，SDRAM内存本来就是用在PC上的，这些厂家在生产SDRAM内存时具备强大的成本竞争力。而随着手机运算能力的进一步加强，SDRAM也不够用，需要使用DDR内存，甚至是目前电脑上最流行的DDR2内存。

　　NAND取代NOR尚需时日

　　3G手机的另一个特点就是软件系统复杂，需要大量的内存来存储软件，通常存储软件的是NOR内存，因此，3G手机需要大容量的NOR内存。但是NOR存储器最为显著的缺点之一是密度不高。虽然速度和代码执行能力为其加分不少，但与NAND相比，其相对较低的密度却是发展的障碍。NOR为低端到中档手机提供各种密度范围，从128MB到256MB，最高可达512MB。NOR也能堆叠起来提供千兆级的密度，但目前应用的最高密度是512MB。一旦NOR闪存需求量超过512MB，如性能超强的3G手机，厂家倾向于采用NAND闪存，因为NOR闪存的成本太高，体积也稍大。不过NAND闪存也有诸多缺陷。例如，系统无法从NAND闪存直接启动。在稳定性方面，NAND闪存存在位翻转(bit-flipping)、坏块(bad blocks)和寿命有限等隐患。而且，它使用一种非标准接口并需要进行软件管理，这些都提高了系统的成本。虽然有一些架构方面的方法有助于解决上述问题，但却还需要其它一些技术实现折衷来解决上述隐患。

　　NAND闪存取代NOR闪存的可能性存在，但是这个过程需要大约3-4年，非智能型的高档2.5G手机使用的NOR闪存大约为256MB-320MB。普通3G手机所需要的NOR闪存容量大约为256MB。未来手机发展需要NOR闪存容量超过512MB，这一过程需要1-2年。

　　内存的大量使用使手机半导体成本中内存所占的比例越来越高，在高端手机中，内存是占成本比例最重的半导体元件。

　　手机元件密度需求提升

　　3G手机的元器件密度比2G手机有所提高，在被动元件领域也会有所变化，从0402元件向0201元件过渡(0402代表长0.4英寸、宽0.2英寸)。不过这个变化不明显，并且大部分厂家的SMT设备还没法完全对应0201元件。同时从现在看，翻盖手机已经不是主流，直板和滑盖才是主流，这样一来，手机的PCB板面积可以相对宽松，0402元件已经足够小，可以长期占据主流位置。

　　手机显示屏会有所变化，因为3G要对应活动视频，这就必须要用TFT-LCD屏幕，老式的STN-LCD屏每秒只能显示25帧，人眼看起来会有动画脱尾的感觉，而TFT-LCD屏可以达到每秒30帧以上的显示速度，不会出现拖尾的现象。近期TFT-LCD屏大降价，清晰度、对比度、亮度、色彩都比STN-LCD屏好很多。因此，即使没有3G，TFT-LCD屏也会取代STN-LCD屏。目前已经有65%左右的手机使用TFT-LCD屏。

　　再一个变化是手机电池，3G的高耗电特性需要大容量的电池，但是目前的锂电池容量已经接近极限，而燃料电池还遥遥无期。因此厂家更多地考虑如何降低耗电而不是提高电池容量，随着技术的发展，大概2-4年内，3G手机的耗电会和2G相当。这也决定了3G手机通常都将是直板的大块头，以便容纳大容量的电池。

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原文链接: http://tech.sina.com.cn/t/2006-08-15/11091086338.shtml